[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201410596955.8 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104362233A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 乔楠;李昱桦;韩杰;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、生长在所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层为超晶格结构，所述多量子阱层的每个周期包括InyGa1-yN层和GaN层，0<y＜1，其特征在于，所述外延片还包括生长在所述N型层和所述多量子阱层之间的应力释放层，所述应力释放层为超晶格结构，所述应力释放层的每个周期包括InxGa1-xN层和生长在所述InxGa1-xN层之上的GaN层，0<x＜y，从所述N型层一侧开始，所述应力释放层的生长温度随周期数逐渐降低，所述InxGa1-xN层中的In的含量随周期数逐层增加。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层的周期数为2～20。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层的每个周期的生长温度小于所述N型层的生长温度。
4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层的生长温度为800～1050℃，所述应力释放层的每个周期中的所述InxGa1-xN层的生长温度与所述GaN层的生长温度相同或不同。
5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层中的每层所述InxGa1-xN层的生长厚度为1～20nm，所述应力释放层中的每层所述GaN层的生长厚度为1～20nm。
6.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层的每个周期中的所述InxGa1-xN层的生长厚度与所述GaN层的生长厚度相同或不同。
7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层中的每层所述GaN层掺杂，掺杂杂质元素为硅或锗，掺杂后的所述应力释放层中的每层所述GaN层的电子浓度范围为1017～1019cm-3。
8.一种GaN基发光二极管的外延片的制备方法，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层和N型层，其特征在于，所述方法还包括：
在所述N型层上依次生长应力释放层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层为超晶格结构，所述多量子阱层的每个周期包括InyGa1-yN层和GaN层，0<y＜1，所述应力释放层为超晶格结构，所述应力释放层的每个周期包括InxGa1-xN层和生长在所述InxGa1-xN层之上的GaN层，0<x＜y，从所述N型层一侧开始，所述应力释放层的生长温度随周期数逐渐降低，所述InxGa1-xN层中的In的含量随周期数逐层增加。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述应力释放层的周期数为2～20。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述应力释放层中的最后一层GaN层上直接生长所述多量子阱层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(苏州）有限公司，未经华灿光电(苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410596955.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
