[发明专利]辐射探测电路有效
| 申请号： | 201410594524.8 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104345328B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01T1/02 | 分类号： | G01T1/02 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种辐射探测电路，包括用于感测待测辐射的第一PMOS晶体管；与第一PMOS晶体管连接的第一放大器；不感测待测辐射的第二PMOS晶体管；与第二PMOS晶体管相连的第二放大器；以及比较模块，用于将第一放大器和第二放大器的输出进行比较，并将其差值进行放大输出。本发明简化了辐射探测电路的结构，与现有技术相比极大地降低了功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 探测 电路 | ||
【主权项】：
一种辐射探测电路，包括：用于感测待测辐射的第一PMOS晶体管(M1)；与第一PMOS晶体管(M1)连接的第一放大器(A1)；不感测待测辐射的第二PMOS晶体管(M2)；与第二PMOS晶体管(M2)相连的第二放大器(A2)；以及比较模块，用于将第一放大器(A1)和第二放大器(A2)的输出进行比较，并将其差值进行放大输出，其中，所述第一放大器(A1)是运算放大器，所述第一PMOS晶体管(M1)的源极接电源电压，漏极连接第一放大器(A1)的共模输入端，栅极连接所述第一放大器(A1)的差模输入端，所述第一放大器(A1)的输出连接所述比较模块的共模输入端；所述第二放大器(A2)是运算放大器，所述第二PMOS晶体管(M2)的源极接电源电压，漏极连接第二放大器(A2)的差模输入端，栅极连接所述第二放大器(A2)的共模输入端，所述第二放大器(A2)的输出连接所述比较模块的差模输入端。
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