[发明专利]辐射探测电路有效
| 申请号： | 201410594524.8 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104345328B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01T1/02 | 分类号： | G01T1/02 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 探测 电路 | ||
1.一种辐射探测电路，包括：
用于感测待测辐射的第一PMOS晶体管(M1)；
与第一PMOS晶体管(M1)连接的第一放大器(A1)；
不感测待测辐射的第二PMOS晶体管(M2)；
与第二PMOS晶体管(M2)相连的第二放大器(A2)；以及
比较模块，用于将第一放大器(A1)和第二放大器(A2)的输出进行比较，并将其差值进行放大输出，其中，
所述第一放大器(A1)是运算放大器，所述第一PMOS晶体管(M1)的源极接电源电压，漏极连接第一放大器(A1)的共模输入端，栅极连接所述第一放大器(A1)的差模输入端，所述第一放大器(A1)的输出连接所述比较模块的共模输入端；
所述第二放大器(A2)是运算放大器，所述第二PMOS晶体管(M2)的源极接电源电压，漏极连接第二放大器(A2)的差模输入端，栅极连接所述第二放大器(A2)的共模输入端，所述第二放大器(A2)的输出连接所述比较模块的差模输入端。
2.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管(M1)的栅极和第一放大器(A1)的差模输入端之间存在第一稳流电阻(R3)。
3.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，所述第二PMOS晶体管(M2)的栅极和第二放大器(A2)的共模输入端之间存在第二稳流电阻(R4)。
4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的辐射探测电路，其特征在于，第一PMOS晶体管(M1)和第二PMOS晶体管(M2)配置完全相同，第一放大器(A1)和第二放大器(A2)的配置完全相同。
5.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，所述第一、第二PMOS晶体管(M1、M2)工作于饱和区。
6.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，所述比较模块包括第三放大器(A3)，其输出信号反映待测辐射的大小。
7.根据权利要求1所述的辐射探测电路，其特征在于，所述辐射探测电路还包括稳流模块，所述稳流模块用于为第一PMOS晶体管(M1)和第二PMOS晶体管(M2)的漏极提供相等的稳定电流。
8.根据权利要求7所述的辐射探测电路，其特征在于，所述稳流模块包括：
恒定电压源(V)，其正极连接所述第一放大器(A1)的共模输入端和第二放大器(A2)的差模输入端，负极接地；
第三稳流电阻(R1)，其一端接恒定电压源的正极，一端接地；
第四稳流电阻(R2)，其一端接恒定电压源的正极，一端接地；
所述第三稳流电阻(R1)和第四稳流电阻(R2)阻值相等。
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