[发明专利]静态随机存取存储器单元有效
| 申请号： | 201410594490.2 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104318953A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存取存储器单元，包括：第一反相器，包含第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，在第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管之间有第一自稳电容；第二反相器，包含第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管，在第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管之间有第二自稳电容；以及第一和第二读写控制单元，分别连接第一自稳电容和第二自稳电容的一端，其中第一自稳电容和第二自稳电容分别与第一和第二读写控制单元连接的一端还连接到不同类型的MOS晶体管。本发明能够有效抗辐射干扰，并有效减小了电路面积，节约了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器单元，包括：第一反相器，包含第一NMOS晶体管(M1)和第一PMOS晶体管(M3)，在第一NMOS晶体管(M1)和第一PMOS晶体管(M3)之间有第一自稳电容；第二反相器，包含第二NMOS晶体管(M2)和第二PMOS晶体管(M4)，在第二NMOS晶体管(M2)和第二PMOS晶体管(M4)之间有第二自稳电容；以及第一和第二读写控制单元，分别连接第一自稳电容和第二自稳电容的一端，其中第一自稳电容和第二自稳电容分别与第一和第二读写控制单元连接的一端还连接到不同类型的MOS晶体管。
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