[发明专利]静态随机存取存储器单元有效
| 申请号： | 201410594490.2 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104318953A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 | ||
1.一种静态随机存取存储器单元，包括：
第一反相器，包含第一NMOS晶体管(M1)和第一PMOS晶体管(M3)，在第一NMOS晶体管(M1)和第一PMOS晶体管(M3)之间有第一自稳电容；
第二反相器，包含第二NMOS晶体管(M2)和第二PMOS晶体管(M4)，在第二NMOS晶体管(M2)和第二PMOS晶体管(M4)之间有第二自稳电容；以及
第一和第二读写控制单元，分别连接第一自稳电容和第二自稳电容的一端，其中第一自稳电容和第二自稳电容分别与第一和第二读写控制单元连接的一端还连接到不同类型的MOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，
如果第一自稳电容与第一读写控制单元连接的一端连接到第一PMOS晶体管(M3)，则第二自稳电容与第二读写控制单元连接的一端连接到第二NMOS晶体管(M2)；
如果第一自稳电容与第一读写控制单元连接的一端连接到第一NMOS晶体管(M1)，则第二自稳电容与第二读写控制单元连接的一端连接到第二PMOS晶体管(M4)。
3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，第一NMOS晶体管(M1)的源极接地，第一PMOS晶体管(M3)的源极连接电压源，第一NMOS晶体管(M1)和第一PMOS晶体管(M3)的漏极通过第一自稳电容相连。
4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，第二NMOS晶体管(M2)的源极接地，第二PMOS晶体管(M4)的源极连接电压源，第二NMOS晶体管(M2)和第二PMOS晶体管(M4)的漏极通过第二自稳电容相连。
5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一自稳电容为第三NMOS晶体管(M7)，第三NMOS晶体管(M7)的源极连接第一NMOS晶体管(M1)的漏极和第二NMOS晶体管(M2)的栅极，第三NMOS晶体管(M7)的漏极连接第一PMOS晶体管(M3)的漏极和第二PMOS晶体管(M4)的栅极，第三NMOS晶体管(M7)的栅极连接电源电压。
6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第二自稳电容为第四NMOS晶体管(M8)，第四NMOS晶体管(M8)的源极连接第二NMOS晶体管(M2)的漏极和第一NMOS晶体管(M1)的栅极，第四NMOS晶体管(M8)的漏极连接第一PMOS晶体管(M3)的栅极和第二PMOS晶体管(M4)的漏极，第四NMOS晶体管(M8)的栅极连接电源电压。
7.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一读写控制单元包括第五NMOS晶体管(M5)，第五NMOS晶体管(M5)的漏极连接第一位线(BL)，栅极连接第一字线(WL)，源极连接第一PMOS晶体管(M3)的漏极。
8.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第二读写控制单元包括第六NMOS晶体管(M6)，第六NMOS晶体管(M6)的漏极连接第二位线(BLB)，栅极连接第二字线(WLB)，源极连接第二NMOS晶体管(M2)的漏极。
9.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，第一、第二自稳电容的等效电容相同。
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