[发明专利]芯片拾取装置有效
申请号: | 201410593412.0 | 申请日: | 2014-10-29 |
公开(公告)号: | CN104319251B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 杜茂华 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种芯片拾取装置,该芯片拾取装置包括拾取头;高压气体机构,将预定压强的气体提供给拾取头,以通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体;真空机构,将预定的真空度施加到拾取头,以通过拾取头来拾取芯片;高度传感器,测量拾取头与待拾取芯片之间的距离;控制器,被构造为根据高度传感器测量的拾取头与待拾取芯片之间的距离来执行通过拾取头喷吹气体的操作或通过拾取头拾取芯片的操作。根据本发明的芯片拾取装置,在芯片拾取过程中通过从拾取头喷吹出的高压气体将待拾取芯片表面的杂质颗粒除去,可以防止在芯片的拾取过程中或后续的芯片堆叠过程中杂质颗粒对芯片造成损坏。 | ||
搜索关键词: | 芯片 拾取 装置 | ||
【主权项】:
一种芯片拾取装置,其特征在于,所述芯片拾取装置包括:拾取头;高压气体机构,将预定压强的气体提供给拾取头,以通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体,从而能够将待拾取芯片表面的杂质颗粒除去;真空机构,将预定的真空度施加到拾取头,以通过拾取头来拾取芯片;高度传感器,测量拾取头与待拾取芯片之间的距离;控制器,被构造为:当拾取头与待拾取芯片之间的距离大于预定距离时,控制器将高压气体机构开启并将真空机构关闭以将预定压强的气体提供给拾取头,从而通过拾取头向待拾取芯片喷吹气体,当拾取头与待拾取芯片之间的距离小于预定距离时,控制器将真空机构开启并将高压气体机构关闭以将预定的真空度施加到拾取头,从而通过拾取头向待拾取芯片施加吸力,所述芯片拾取装置还包括与拾取头、高压气体机构和真空机构连通的电子阀门,真空机构和高压气体机构处于常开状态,高压气体机构和真空机构分别通过高压气体通道和真空通道与电子阀门连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410593412.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造