[发明专利]间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构及制作方法有效
| 申请号： | 201410581877.4 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104319321A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 南琦;王怀兵;王辉;吴岳;傅华 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构的制作方法，包括如下步骤：准备一衬底，在氢气气氛下高温处理衬底；在处理好的衬底表面依次生长缓冲层、n-GaN层；在n-GaN层上周期性生长MQW有源层；在MQW有源层上依次生长p-GaN及P型接触层；所述MQW有源层由至少两个多量子阱层组成，每个所述多量子阱层由InGaN量子阱层、GaN保护层及GaN量子垒层构成，且每个多量子阱中的各层均在同温下生长。本发明经过这中间的间隔退火处理，其晶面取向更为统一，晶格质量更高；得到高质量的量子阱结构层，发光效率提高10%以上，节省了大量原有在多量子阱层中升降温时间，产能提升明显；使低温GaN材料的表面平滑化，从而实现垒的均匀二维生长，得到高质量的多量子阱材料。 | ||
| 搜索关键词： | 间断 退火 生长 多量 led 外延 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构的制作方法，包括如下步骤：S1，准备一衬底，在氢气气氛下高温处理衬底；S2，在处理好的衬底表面依次生长缓冲层、n‑GaN层；S3，在n‑GaN层上周期性生长MQW有源层；S4，在MQW有源层上依次生长p‑GaN及P型接触层；其特征在于：所述S3中MQW有源层由至少两个多量子阱层组成，每个所述多量子阱层由InGaN量子阱层、GaN保护层及GaN量子垒层构成，且每个多量子阱中的各层均在同温下生长。
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