[发明专利]一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用

摘要

本发明提供了一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用。该探测器包括基底层、SiO₂薄膜层、光敏层、叉指电极、第一引线和第二引线；SiO₂薄膜层平行附着在所述基底层上；光敏层和叉指电极分别平行设置在SiO₂薄膜层上，光敏层和叉指电极相接触连接，光敏层设置在叉指电极上层或者下层；第一引线和第二引线分别与叉指电极的两个电极相连接；光敏层为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列。本发明的紫外光探测器采用平行于基底的、大面积有序排列的NiO纳米线，具有灵敏度高，测量范围广，可实现连续波段或各波段的紫外光探测，制备简单，成本低廉，易于工业化生产，在实际应用上具有广阔前景。

主权项

一种NiO纳米线紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：纳米线的生长：用模板制备Ni纳米线，溶解模板，释放纳米线；纳米线的排列：将单晶硅片高温氧化，在其表面形成SiO₂薄膜层，在磁场中，将Ni纳米线排列于SiO₂薄膜层表面；纳米线的氧化处理：将排列好的Ni纳米线在高温中氧化得到NiO纳米线；制备叉指电极：在排有NiO纳米线的SiO₂薄膜层表面涂布光刻胶，用掩膜技术将准备生长叉指电极的部分曝光清洗，用磁控溅射的方法镀上金属电极，洗掉剩余光刻胶；连接引线：从叉指电极的两极分别引出第一引线和第二引线，即得到NiO纳米线紫外光探测器；其中，所述NiO纳米线紫外光探测器包括基底层、SiO₂薄膜层、光敏层、叉指电极、第一引线和第二引线；所述SiO₂薄膜层平行附着在所述基底层上；所述光敏层和所述叉指电极分别平行设置在所述SiO₂薄膜层上，所述光敏层和所述叉指电极相接触连接，所述光敏层设置在所述叉指电极下层；所述第一引线和所述第二引线分别与所述叉指电极的两个电极相连接；所述光敏层为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列。