[发明专利]线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件

摘要

本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。

主权项

一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构，包括自下而上依次叠放的衬底层(8)、介质埋层(9)和有源层(4)，其特征在于：还进一步包括多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区(10)；这些高浓度固定电荷区(10)由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区(10)均位于介质埋层(9)上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区(10)之间的间距呈线性递减或递增。