[发明专利]静电测试控片以及静电测试方法有效
申请号: | 201410563733.6 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN105590875B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 夏禹;刘丽丽 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/01 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的静电测试控片以及静电测试方法中,提供的静电测试控片包括半导体衬底,以及有序排布于所述半导体衬底上的若干个静电测试单元,所述静电测试单元包括一层间电容结构,所述层间电容结构包括依次层叠于半导体衬底上的第一金属层、绝缘介质层以及第二金属层。所述层间电容结构可以存在电荷,并且击穿电压值会因此减小,测定和比较经过待测设备的喷头处理之前和之后的击穿电压特性,判断待测设备是否积累有静电荷。利用紫外光照射静电测试控片一段时间,静电测试单元存储的静电荷会与紫外光产生的光生载流子复合,因此,经过紫外光处理之后的静电测试控片可以继续进行静电测试。本发明的静电测试控片可以多次循环使用,节约成本,提高效率。 | ||
搜索关键词: | 静电 测试 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种静电测试控片,其特征在于,包括:半导体衬底以及有序排布于所述半导体衬底上的若干个静电测试单元,每个所述静电测试单元包括一层间电容结构,所述层间电容结构包括依次层叠于所述半导体衬底的一第一金属层、一绝缘介质层和一第二金属层,其中,所述绝缘介质层部分覆盖所述第一金属层;所述静电测试单元还包括第一电极和第二电极、第一垫片和第二垫片,所述第一垫片和所述第二垫片分别与所述第一电极和所述第二电极电连接,所述第一电极和所述第二电极分别与所述第一金属层和所述第二金属层电连接,并且所述第一垫片与所述第二垫片之间用于施加电压,测试所述层间电容结构的击穿电压特性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410563733.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集装箱轮胎吊集电杆装置
- 下一篇:决定个别晶粒标识符的方法与多晶片模块装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造