[发明专利]静电测试控片以及静电测试方法

权利要求书

1.一种静电测试控片，其特征在于，包括：半导体衬底以及有序排布于所述半导体衬底上的若干个静电测试单元，每个所述静电测试单元包括一层间电容结构，所述层间电容结构包括依次层叠于所述半导体衬底的一第一金属层、一绝缘介质层和一第二金属层，其中，所述绝缘介质层部分覆盖所述第一金属层；所述静电测试单元还包括第一电极和第二电极、第一垫片和第二垫片，所述第一垫片和所述第二垫片分别与所述第一电极和所述第二电极电连接，所述第一电极和所述第二电极分别与所述第一金属层和所述第二金属层电连接，并且所述第一垫片与所述第二垫片之间用于施加电压，测试所述层间电容结构的击穿电压特性。

2.如权利要求1所述的静电测试控片，其特征在于，所述静电测试控片包括至少25个静电测试单元。

3.如权利要求1所述的静电测试控片，其特征在于，所述绝缘介质层为氧化硅或者氮化硅。

4.如权利要求3所述的静电测试控片，其特征在于，所述绝缘介质层的厚度为

5.一种静电测试方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1-4中任意一项所述的静电测试控片，测试每个所述静电测试单元的击穿电压特性，得到处理前所述静电测试控片中所有静电测试单元的击穿电压分布，并取处理前所述击穿电压分布中最小的击穿电压值作为第一最小击穿电压值；

使用一待测设备的喷头对所述静电测试控片进行处理，测试每个所述静电测试单元的击穿电压特性，得到处理后所述静电测试控片中所有静电测试单元的击穿电压分布，并取处理后所述击穿电压分布中最小的击穿电压值作为第二最小击穿电压值；以及

若所述第一最小击穿电压值大于所述第二最小击穿电压值，则判断所述喷头存在积累的静电荷。

6.如权利要求5所述的静电测试方法，其特征在于，测试所述静电测试单元的击穿电压特性的具体步骤包括：

在第一垫片和第二垫片之间施加线性增加的电压；

测试所述第一垫片和所述第二垫片之间的电流值；

记录当电流值增加到某一预定值时的电压值，所述电压值即为所述静电测试单元的击穿电压值。

7.如权利要求5所述的静电测试方法，其特征在于，所述静电测试方法还包括：将所述静电测试控片置于紫外光下照射，去除所述静电测试控片中存贮的静电荷。

8.如权利要求7所述的静电测试方法，其特征在于，紫外光照射所述静电测试控片的时间为5min-10min。