[发明专利]在（100）单硅片上制作宽频带高量程加速度传感器的方法

摘要

本发明提供一种在（100）单硅片上制作宽频带高量程加速度传感器的方法，所制作的宽频带高量程加速度传感器由四个纵截面为五边形规则的作为压阻敏感电阻的微梁以及一块弹性板构成，工作时微梁仅沿硅<110>晶向产生直拉或直压的应变，使得传感器具有高的灵敏度和较高的一阶振动频率，拓宽了工作频率带宽，保证传感器在高冲击响应过程中能够测量到较宽范围的频率信号，确保测量信号准确不失真；微梁由各向异性腐蚀溶液KOH溶液腐蚀，由硅（111）晶面作为腐蚀终止面，自动终止所述微梁的腐蚀，整个过程容易控制，可以精确控制微梁的尺寸，成品率大大提高，适于批量生产；传感器的体积较小，抗冲击能力比较大，有益于生产成本的降低。

主权项

一种宽频带高量程加速度传感器，其特征在于，所述宽频带高量程加速度传感器包括：(100)硅片；支撑框，设置在所述加速度传感器中，且框体呈矩形结构；弹性板，顺应所述框体呈矩形立方结构并设置于所述框体中；所述弹性板两个相对的侧面固支于所述支撑框的内侧，另两个相对的侧面与所述框体具有一定的间隙；所述弹性板的底面固支于所述硅片内；多个微梁，对称地分布于所述弹性板非固支的两侧，且位于所述弹性板同一侧的微梁相互平行；所述微梁的一端与所述弹性板相连接，另一端与所述支撑框相连接；所述微梁纵截面的形状为五边形；所述微梁为用作压阻敏感电阻的微梁，各压阻敏感电阻之间相互连接成惠斯通全桥电路；所述微梁的长度方向为硅<110>晶向，工作时仅沿硅<110>晶向产生直拉或直压的应变。