[发明专利]半导体激光芯片外延结构有效
| 申请号： | 201410554939.2 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104393487B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 仇伯仓;胡海 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光芯片外延结构，包括：有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层，第一包层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的至少两个第一子包层和至少一第二子包层，其中第二子包层位于两个第一子包层之间，第二子包层的折射率低于第一包层材料的折射率。通过上述方式，本发明能够同时兼顾半导体激光器的阈值电流与光束发散角，使得半导体激光器具有小阈值电流与低的光束发散角，大大改善外延材料的生长稳定性，保证半导体激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 芯片 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光芯片外延结构，其特征在于，所述半导体激光芯片外延结构包括有源层以及分别位于所述有源层的相对两侧且与所述有源层堆叠排列的第一包层和第二包层，其中所述第一包层包括沿所述有源层与所述第一包层和所述第二包层的堆叠方向设置的至少两个第一子包层和至少一第二子包层，其中所述第二子包层位于两个第一子包层之间，所述第二子包层的折射率低于所述第一包层材料的折射率，且沿所述堆叠方向，所述第二子包层的折射率相对于其两侧相邻的所述第一子包层的折射率呈连续变化或阶梯变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳瑞波光电子有限公司;深圳清华大学研究院，未经深圳瑞波光电子有限公司;深圳清华大学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410554939.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单相表计量柜
- 下一篇：一种基于透射型光栅的大功率光谱合成方法
