[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410553428.9 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN104465394B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;秋元健吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及半导体装置的制造方法。当采用由金属材料构成的源电极及漏电极与氧化物半导体膜直接接触的薄膜晶体管的结构时，接触电阻会增高。接触电阻增高的原因之一是：在源电极及漏电极与氧化物半导体膜的接触面上形成肖特基结。本发明的技术要点是：在氧化物半导体膜与源电极及漏电极之间设置氧缺少氧化物半导体层，该氧缺少氧化物半导体层包含其尺寸为1nm至10nm以下的晶粒，并且其载流子浓度高于用作沟道形成区域的氧化物半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成包含氮化物的第一栅极绝缘层在所述第一栅极绝缘层上形成包含氧化物的第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层的表面上进行氧自由基处理；在所述氧自由基处理之后在所述第二栅极绝缘层上形成第一半导体层；对所述第一半导体层加热；在所述加热之后在所述第一半导体层上形成第二半导体层；在所述第二半导体层上形成绝缘膜，其中：所述第一半导体层包括氧过剩氧化物半导体膜；以及所述第二半导体层包括氧缺少氧化物半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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