[发明专利]修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法及相移掩膜在审

专利信息
申请号: 201410542513.5 申请日: 2014-10-14
公开(公告)号: CN105575774A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 施维;王然 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F1/36
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法及相移掩膜。该相移掩膜包括不透光层和相移层,该方法包括以下步骤:步骤S1、测量相移掩膜的特征尺寸,以找出相移掩膜中的特征尺寸偏差图形;步骤S2、对相移掩膜进行氧化处理,以在相移层的表面上形成保护层;步骤S3、对相移层进行补偿刻蚀,以修正特征尺寸偏差图形。该方法通过对相移掩膜进行氧化处理以在相移层的表面上形成保护层后,再对相移层进行补偿刻蚀,从而实现了对相移掩膜中相移层的特征尺寸偏差进行修正的目的。在对相移层进行补偿刻蚀时,相移层表面上的保护层能够降低相移层的刻蚀速率,减少了相移层的高度偏差,进而减少了由对相移层进行补偿刻蚀导致的相位差值。
搜索关键词: 修正 相移 掩膜中 特征 尺寸 偏差 方法
【主权项】:
一种修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法,所述相移掩膜包括不透光层和相移层,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1、测量所述相移掩膜的特征尺寸,以找出所述相移掩膜中的特征尺寸偏差图形;步骤S2、对所述相移掩膜进行氧化处理,以在所述相移层的表面上形成保护层;步骤S3、对所述相移层进行补偿刻蚀,以修正所述特征尺寸偏差图形。
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