[发明专利]修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法及相移掩膜在审
| 申请号: | 201410542513.5 | 申请日: | 2014-10-14 |
| 公开(公告)号: | CN105575774A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
| 发明(设计)人: | 施维;王然 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请公开了一种修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法及相移掩膜。该相移掩膜包括不透光层和相移层,该方法包括以下步骤:步骤S1、测量相移掩膜的特征尺寸,以找出相移掩膜中的特征尺寸偏差图形;步骤S2、对相移掩膜进行氧化处理,以在相移层的表面上形成保护层;步骤S3、对相移层进行补偿刻蚀,以修正特征尺寸偏差图形。该方法通过对相移掩膜进行氧化处理以在相移层的表面上形成保护层后,再对相移层进行补偿刻蚀,从而实现了对相移掩膜中相移层的特征尺寸偏差进行修正的目的。在对相移层进行补偿刻蚀时,相移层表面上的保护层能够降低相移层的刻蚀速率,减少了相移层的高度偏差,进而减少了由对相移层进行补偿刻蚀导致的相位差值。 | ||
| 搜索关键词: | 修正 相移 掩膜中 特征 尺寸 偏差 方法 | ||
【主权项】:
一种修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法,所述相移掩膜包括不透光层和相移层,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1、测量所述相移掩膜的特征尺寸,以找出所述相移掩膜中的特征尺寸偏差图形;步骤S2、对所述相移掩膜进行氧化处理,以在所述相移层的表面上形成保护层;步骤S3、对所述相移层进行补偿刻蚀,以修正所述特征尺寸偏差图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





