[发明专利]修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法及相移掩膜在审
| 申请号： | 201410542513.5 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105575774A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 施维;王然 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 修正 相移 掩膜中 特征 尺寸 偏差 方法 | ||
1.一种修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法，所述相移掩膜包括不透光层和相移层，其特 征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S1、测量所述相移掩膜的特征尺寸，以找出所述相移掩膜中的特征尺寸偏差图 形；
步骤S2、对所述相移掩膜进行氧化处理，以在所述相移层的表面上形成保护层；
步骤S3、对所述相移层进行补偿刻蚀，以修正所述特征尺寸偏差图形。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，找出所述特征尺寸偏差图形的步骤包括：获 取所述相移层的特征尺寸和目标特征尺寸之间的偏差值，并将所述相移层中所述偏差值 大于目标偏差值的部分作为所述特征尺寸偏差图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，重复所述步骤S1到所述步骤S3至所述偏差 值小于所述目标偏差值。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化处理的工艺为氧等离子体工艺或UV 照射。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用所述氧等离子体工艺进行所述氧化处理 时，采用O2或O3作为氧化气体。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用所述氧等离子体工艺进行所述氧化处理 的步骤中，所述氧化气体的流量为100～3000sccm，处理时间为1～10min，处理温度为 100～200℃。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用所述UV照射进行所述氧化处理时，采用 波长为100～300nm的紫外线进行照射。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用所述UV照射进行所述氧化处理的步骤中， 所述紫外线的光强度为100～2000mW/cm2，处理温度为200～300℃，处理时间1～10min。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述相移层进行补偿刻蚀的步骤中，所述 补充刻蚀的工艺为干法刻蚀。
10.根据权利要求9所示的方法，其特征在于，对所述相移层进行补偿刻蚀的步骤中，所述 补充刻蚀的时间为1～10s。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，所述不透光层的材料为铬，所 述相移层的材料为钼化硅。
12.一种相移掩膜，其特征在于，所述相移掩膜由权利要求1至11中任一项所述的方法处理 而成。
13.根据权利要求12所述的相移掩膜，其特征在于，所述相移掩膜为ArF光掩膜或KrF光掩 膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
