[发明专利]沟槽隔离结构的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410542502.7 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105514020A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 林率兵;黄峰;王雪梅;严青松;茹捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种沟槽隔离结构的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上形成具有通孔的掩膜层；沿通孔刻蚀衬底，以在衬底中形成宽度大于通孔的底部宽度的开口；沿开口进一步刻蚀衬底，以在衬底中形成隔离沟槽；对位于隔离沟槽的底部的衬底进行离子注入；以及在经离子注入后的隔离沟槽中形成填充材料层。该制作方法通过沿掩膜层中通孔刻蚀衬底以形成宽度大于通孔的底部宽度的开口，并沿开口刻蚀衬底以在衬底中形成隔离沟槽，使得后续离子注入过程中注入离子和隔离沟槽的侧壁之间会产生一定空隙，从而解决了离子注入的过程中注入离子进入到位于隔离沟槽侧壁的衬底中的问题，进而提高了沟槽隔离结构的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上形成具有通孔的掩膜层；沿所述通孔刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成宽度大于所述通孔的底部宽度的开口；沿所述开口进一步刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成隔离沟槽；对位于所述隔离沟槽的底部的所述衬底进行离子注入；以及在经所述离子注入后的所述隔离沟槽中形成填充材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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