[发明专利]相邻阱间隔离结构的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410542152.4 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105575875A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈轶群;王刚宁;孙泓;袁秉荣;陈宗高;蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/761;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种相邻阱间隔离结构的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括以下步骤：在衬底中形成预备阱结构；刻蚀预备阱结构以形成贯穿预备阱结构的沟槽，并将位于沟槽两侧的预备阱结构分别作为阱；在沟槽中形成隔离结构。该制作方法通过在衬底中形成预备阱结构，然后刻蚀预备阱结构以形成贯穿预备阱结构的沟槽，并将位于沟槽两侧的预备阱结构分别作为阱，最后在沟槽中形成了隔离结构，从而将相邻阱隔离开。同时，该隔离结构的宽度明显小于现有技术中相邻阱之间的隔离距离，从而降低了相邻阱之间的隔离距离，进而提高了器件的集成度，并减少了器件的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 相邻 间隔 结构 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种相邻阱间隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在衬底中形成预备阱结构；刻蚀所述预备阱结构以形成贯穿所述预备阱结构的沟槽，并将位于所述沟槽两侧的所述预备阱结构分别作为所述阱；在所述沟槽中形成所述隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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