[发明专利]一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺在审
| 申请号： | 201410539258.9 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105568379A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 武安华;王卓;徐军;姜大朋;苏良碧;钱小波;陈险峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺，所述工艺包括：对生长炉内抽真空至真空度小于6×10-3Pa；以10～100℃/小时的升温速率升温至500～600℃后充入高纯保护氩气；继续升温至950～1050℃，保温至原料全部熔化；再以2～10℃/小时速率降温至800～850℃，保温至晶体完全结晶；当晶体结晶结束，将温度梯度调整为零，进行原位退火；退火结束，以5～20℃/小时速率降温至室温。本发明工艺具有温场稳定，生长过程中无需通入有毒气体，生长的BaMgF4单晶完整性好，成品率高，晶体尺寸和外形可控，且对设备无苛刻要求、操作简单、环境友好、有利于实现工业化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度梯度 生长 氟化 镁钡单晶 工艺 | ||
【主权项】：
一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺，其特征在于，包括如下步骤：a)将原料置入石墨坩埚中，在石墨坩埚上方加盖石墨板后置于单晶生长炉中，打开真空系统对生长炉内抽真空；b)当真空度小于6×10‑3Pa后，启动生长控制程序，升温速率为10～100℃/小时；c)当温度为500～600℃、真空度小于6×10‑3Pa时，充入高纯保护氩气，继续升温至950～1050℃，然后保温至原料全部熔化；d)以2～10℃/小时速率降温至800～850℃，保温至晶体完全结晶；e)当晶体结晶结束，将温度梯度调整为零，进行原位退火；f)退火结束，以5～20℃/小时速率降温至室温，即得氟化镁钡单晶。
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