[发明专利]具有分布式导电孔结构的发光二极管及其制造方法

摘要

具有分布式导电孔结构的发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，在外延片上制作镜面反射层，在镜面反射层上键合衬底，经去除外延片上的基板、缓冲层和截止层，露出N‑GaAs欧姆接触层，再制作图形化的N‑GaAs欧姆接触层、扩展电极、主电极和背电极。本发明由SiO2导电孔层中的各通孔和镜面层共同构成了镜面反射层，SiO2孔中的AuZn同P‑GaP电流扩展层形成良好的电学接触；由于切割道上无导电孔，在电极下方形成肖特基结，从而减小了电流的无效注入，提升了发光效率。

主权项

具有分布式导电孔结构的发光二极管，在具有背电极的衬底上依次设置有金属键合层、镜面反射层、外延层、扩展电极和主电极，外延层通过镜面反射层连接在金属键合层上；外延层包括P‑GaP电流扩展层、缓冲层、P‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、N‑AlGaInP限制层、N‑AlGaInP电流扩展层、粗化层和N‑GaAs欧姆接触层；其特征在于镜面反射层包括设置在外延层的P‑GaP电流扩展层一侧的具有若干通孔的SiO2导电孔层，所通孔均匀分布在主电极和扩展电极周围的发光区上，在所述通孔内及SiO2导电孔层与金属键合层之间蒸镀有镜面层；所述N‑GaAs欧姆接触层的厚度为30～50nm，掺杂浓度在1×1019cm‑3以上，掺入的杂质元素为Si；所述N‑AlGaInP电流扩展层厚度为2000nm；所述P‑GaP电流扩展层厚度为1000～3000nm，掺杂浓度在1×1018cm‑3以上，掺入的杂质元素为Mg；所述扩展电极为圆环型。