[发明专利]一种NMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410532290.4 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104362177B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王志强;康峰;张琨鹏;闵天圭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 腾一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NMOS器件及其制作方法，包括：第一栅极结构和第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区；位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区；位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。本发明能够使得源漏串联电阻降低40％左右，线性区和饱和区的跨导分别增加50％和20％左右，获得较小的漏电流和较低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种NMOS器件，其特征在于，用于制作互补金属氧化物半导体CMOS电路，包括：第一栅极结构和第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区；位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区；位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。
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