[发明专利]存储器的电平移位器及译码器有效
申请号: | 201410526135.1 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN105336356B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 张铭益;戴建平;沈欣彰;陈重光 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C8/10 | 分类号: | G11C8/10;G11C16/08;G11C16/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器的电平移位器及译码器。电平移位器接收具有窄电压范围的输入,并提供宽电压范围的输出。电平移位器包含具有导通(turn‑on)电压的晶体管。控制电路施加偏压至电平移位器,以使晶体管并不会接收导通电压。 | ||
搜索关键词: | 电平移位器 译码器 存储器 晶体管 导通电压 控制电路 宽电压 导通 施加 输出 | ||
【主权项】:
1.一种具有低交叉电流的电平移位器的集成电路,包括:一电平移位器,接收具有一第一电压范围的一第一输入,并提供具有与该第一电压范围不同的一第二电压范围的一第一输出,该电平移位器包含一第一晶体管及一第二晶体管,该第一晶体管的一导通电压具有一第一电平,该第一晶体管具有一控制端及一载电流端,且该第二晶体管具有一控制端,其中该第一晶体管的控制端的讯号与该第二晶体管的控制端的讯号系不同;一控制电路,具有一第一模式致使该第一晶体管的该载电流端耦接至一参考电压,并使该第一晶体管的该控制端耦接至一控制电压,该控制电压大于该参考电压,其中该参考电压与该控制电压之间的一非零差具有小于该第一电平的一第二电平,且该第二电平致使该第一晶体管在线性区内弱导通;其中,该第一晶体管是n型,该第二晶体管是p型,二者串联耦接于电压供应VDD与负电压供应VNP之间,该第二晶体管的源极耦接至电压供应VDD,该第一晶体管的源极耦接至负电压供应VNP,该第一晶体管的漏极和该第二晶体管的漏极共同被耦接至端点N1。
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