[发明专利]用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环

摘要

本发明涉及用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环。一种使用等离子体清洁半导体衬底的倒角边的倒角蚀刻器包括具有下支撑体的下电极组件，下支撑体具有圆柱形顶部。上介电组件设置在下电极组件上方，具有与下支撑体的顶部相对的圆柱形底部。可调的上等离子体禁区(PEZ)环包围介电组件的底部，其中可调的上等离子体禁区环的下表面包括从上介电组件的底部向外延伸的向上锥形外部，其中可以增大或减小上等离子体禁区环的下表面与支撑在下支撑体上的衬底的上表面之间的可调间隙的垂直高度使得可以分别径向向内或径向向外调节将要由等离子体清洁的衬底的倒角边的程度。至少一个射频(RF)功率源适于在倒角边清洁过程期间将工艺气体激励成等离子体。

主权项

1.一种倒角蚀刻器，半导体衬底的倒角边在所述倒角蚀刻器中进行等离子体清洁，所述倒角蚀刻器包括：下电极组件，其包括具有圆柱形顶部的下支撑体；上介电组件，其设置在所述下电极组件上方，具有与所述下支撑体的顶部相对的圆柱形底部；可调的上等离子体禁区(PEZ)环，其包围所述上介电组件的底部，其中所述可调的上等离子体禁区环的下表面包括以5°±10％至50°±10％的向上锥形角度从所述上介电组件的所述底部向外并且向上延伸的向上锥形外部，其中所述可调的上等离子体禁区环的所述下表面包括水平部分，其中所述向上锥形外部从所述可调的上等离子体禁区环的所述下表面的所述水平部分向外并且向上延伸；其中能够增大或减小所述上等离子体禁区环的所述下表面的所述水平部分与支撑在所述下支撑体上的所述衬底的上表面之间的可调间隙的垂直高度，使得能够分别径向向内或径向向外调节将要由所述等离子体清洁的所述衬底的倒角边的程度；以及至少一个射频(RF)功率源，其适于在倒角边清洁过程期间将工艺气体激励成所述等离子体。