[发明专利]用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环

权利要求书

1.一种倒角蚀刻器，半导体衬底的倒角边在所述倒角蚀刻器中进行等离子体清洁，所述倒角蚀刻器包括：

下电极组件，其包括具有圆柱形顶部的下支撑体；

上介电组件，其设置在所述下电极组件上方，具有与所述下支撑体的顶部相对的圆柱形底部；

可调的上等离子体禁区(PEZ)环，其包围所述上介电组件的底部，其中所述可调的上等离子体禁区环的下表面包括以5°±10％至50°±10％的向上锥形角度从所述上介电组件的所述底部向外并且向上延伸的向上锥形外部，其中所述可调的上等离子体禁区环的所述下表面包括水平部分，其中所述向上锥形外部从所述可调的上等离子体禁区环的所述下表面的所述水平部分向外并且向上延伸；

其中能够增大或减小所述上等离子体禁区环的所述下表面的所述水平部分与支撑在所述下支撑体上的所述衬底的上表面之间的可调间隙的垂直高度，使得能够分别径向向内或径向向外调节将要由所述等离子体清洁的所述衬底的倒角边的程度；以及

至少一个射频(RF)功率源，其适于在倒角边清洁过程期间将工艺气体激励成所述等离子体。

2.根据权利要求1所述的倒角蚀刻器，其中所述可调的上等离子体禁区环和所述上介电组件是整体件。

3.根据权利要求1所述的倒角蚀刻器，其中：

(a)所述向上锥形外部与所述水平部分之间的边缘是圆边；或者

(b)所述可调的上等离子体禁区环的所述向上锥形外部是锥形的，其相对于所述水平部分的所述向上锥形角度为10°±10％至30°±10％。

4.根据权利要求3所述的倒角蚀刻器，其中所述可调的上等离子体禁区环的所述向上锥形外部是锥形的，其相对于所述水平部分的所述向上锥形角度为10°±10％、20°±10％或30°±10％。

5.根据权利要求3或4所述的倒角蚀刻器，其中，以下中的至少一项：

(a)所述可调的上等离子体禁区环的所述下表面的所述水平部分与所述上介电组件的所述底部的下表面共面；并且/或者

(b)所述水平部分具有比有待清洁的所述倒角边的外径小的外径，并且所述向上锥形外部具有比有待清洁的所述倒角边的外径大的外径。

6.根据权利要求1所述的倒角蚀刻器，其包括：

(a)控制器，其被配置成控制由所述倒角蚀刻器执行的过程；

(b)非临时性计算机的机器可读介质，其包括用于控制所述倒角蚀刻器的程序指令；和/或

(c)驱动机构，其用于控制所述可调间隙的所述垂直高度。

7.根据权利要求1所述的倒角蚀刻器，其中：

(a)所述可调的上等离子体禁区环是由选自由导电材料、半导体材料和介电材料组成的组中的材料形成的；

(b)所述可调的上等离子体禁区环在其外表面上包括硅、碳化硅、氧化钇或三氧化二铝的涂层；并且/或者

(c)所述向上锥形外部具有比有待清洁的所述倒角边的外径大的外径。

8.根据权利要求7所述的倒角蚀刻器，其中所述可调的上等离子体禁区环是由三氧化二铝、氮化铝、氧化硅、碳化硅、氮化硅、硅、氧化钇或它们的混合物形成的。

9.根据权利要求1所述的倒角蚀刻器，其中所述可调的上等离子体禁区环是由陶瓷材料形成的。

10.根据权利要求1所述的倒角蚀刻器，其中所述上介电组件包括用于测量所述可调间隙的所述垂直高度的至少一个间隙传感器，其中所述间隙传感器是选自由电感传感器、激光传感器、电容传感器、声学传感器和线性可变差动变压(LVDT)传感器组成的组中的一种。

11.根据权利要求1所述的倒角蚀刻器，其中所述可调的上等离子体禁区环包括形成在其内表面上的凸缘。