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[发明专利]用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环-CN201410525124.1有效
发明人：杰克·陈;亚当·莱恩;格雷戈里·塞克斯顿 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环。一种使用等离子体清洁半导体衬底的倒角边的倒角蚀刻器包括具有下支撑体的下电极组件，下支撑体具有圆柱形顶部。上介电组件设置在下电极组件上方，具有与下支撑体的顶部相对的圆柱形底部。可调的上等离子体禁区(PEZ)环包围介电组件的底部，其中可调的上等离子体禁区环的下表面包括从上介电组件的底部向外延伸的向上锥形外部，其中可以增大或减小上等离子体禁区环的下表面与支撑在下支撑体上的衬底的上表面之间的可调间隙的垂直高度使得可以分别径向向内或径向向外调节将要由等离子体清洁的衬底的倒角边的程度。至少一个射频(RF)功率源适于在倒角边清洁过程期间将工艺气体激励成等离子体。
用于倒角蚀刻可调等离子体禁区

[发明专利]等离子体处理系统中温度依赖型晶片间隙变化的被动补偿-CN201280028992.8无效
发明人：安德里亚斯·菲舍;格雷戈里·塞克斯顿 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了依赖于热膨胀部件的温度驱动的尺度变化来基本上或部分地抵消由于腔室部件的温度变化而产生的晶片间隙变化的被动式晶片间隙补偿装置和方法。本被动装置和技术涉及被动地升高或降低朝向衬底的部件或衬底支撑件来基本上或部分地抵消升温的间隙变窄的效应或间隙扩大的效应，从而减少或消除由于腔室部件温度变化而造成的晶片间隙变化。可选地提供冷却装置和热断路器以改善性能。
等离子体处理系统温度依赖晶片间隙变化被动补偿

[发明专利]用于等离子处理设备的齐平安装紧固件-CN201180010034.3有效
发明人： 格雷戈里·塞克斯顿 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种用于等离子室的部件的紧固件组件。该紧固件组件包括具有工具接合插口的螺栓和安装在所述螺栓的通孔中的弹簧承载销。当安装时，所述弹簧承载销基本上填满所述插口中的空间，从而能防止所述销和螺栓的相对的表面之间的空间内形成寄生等离子。当例如内六角扳手等工具被插入到所述插口中时，所述弹簧承载销缩回并且所述工具旋转所述螺栓以通过将所述螺栓的螺纹与所述下部件内的螺纹孔啮合而将上部件连接到下部件。
用于等离子处理设备平安紧固

[实用新型]延伸电极及含有其的等离子体斜面蚀刻设备-CN201120046096.7有效
发明人： 格雷戈里·塞克斯顿;保罗·阿庞特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种延伸电极，其是用于在半导体衬底工艺中使用的等离子体斜面蚀刻器。所述延伸电极包括在环形铝制体上的等离子体暴露截锥面。所述铝制体能够在阳极化之前被粗糙化并且用诸如氧化钇之类的陶瓷材料进行涂覆。所述延伸电极具有增强的耐用性和蚀刻率。本申请还涉及一种等离子体斜面蚀刻设备，其是用于清洁具有8英寸或更大的直径的半导体衬底的斜面边缘，包括作为上延伸电极的前述的延伸电极，其被设置高于所述半导体衬底的外圆周。
延伸电极含有等离子体斜面蚀刻设备

[发明专利]可配置的斜面刻蚀机-CN200880003211.3有效
发明人：安德鲁·D·贝利三世;艾伦·M·舍普;格雷戈里·塞克斯顿;金允尚;威廉·S·肯尼迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于清洁半导体基板的斜面边缘的装置。该装置包括：具有圆柱形顶部的下支架；围绕该顶部并适于支撑该基板的下等离子体隔断区域(PEZ)环；面向该下支架并具有圆柱形底部的上电介质元件；围绕该底部的外缘并面向该下PEZ环的上PEZ环；以及至少一个射频(RF)电源，可运作以将由该上和下PEZ环限定的环形空间中的气体激励为等离子体，其中该环形空间包围该斜面边缘。
配置斜面刻蚀

[发明专利]带有间隙控制的斜面蚀刻器-CN200880003247.1有效
发明人：安德鲁·D·贝利三世;艾伦·M·舍普;格雷戈里·塞克斯顿;安德拉斯·库蒂;金允尚;威廉·S·肯尼迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种清洁半导体基片斜缘的装置。该装置包括具有顶部表面并适于支撑该基片的下电极总成以及具有相对该顶部表面的底部表面的上电极总成。该上和下电极总成生成等离子，用以在运行期间清洁设在该顶部和底部表面之间的该基片的斜缘。该装置还包括将该上电极总成悬置在该下部支撑件上方并且调节该底部表面相对该顶部表面的倾角和水平位移的机构。
带有间隙控制斜面蚀刻

[发明专利]具有真空卡盘的斜面蚀刻器-CN200880003201.X有效
发明人：安德鲁·D·贝利三世;艾伦·M·舍普;格雷戈里·塞克斯顿;威廉·S·肯尼迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种结合真空卡盘的斜面蚀刻器，用来清洁斜缘并且减少半导体基片的弯曲曲率。该斜面蚀刻器包括真空卡盘和等离子发生单元，该单元将工艺气体激发为等离子态。该真空卡盘包括卡盘体和支撑环。该卡盘体的顶部表面和该支撑环的内缘形成由安装在该支撑环上的基片的底部表面封闭的真空区域。真空泵在运行期间排空该真空区域。该真空卡盘可运行以通过该基片的顶部和底部表面之间的压差将该基片保持合适的位置。该压差还产生弯曲力以减少该基片的弯曲曲率。
具有真空卡盘斜面蚀刻