[发明专利]一种氮化镓纳米线的制备方法

摘要

本发明公开一种氮化镓纳米线的制备方法。即以Ga₂O₃和GaN作为混合镓源装入小瓷舟中，将镀有催化剂Ni层或Au层的Si衬底材料放到石英管中，然后将小瓷舟放到石英管中，混合镓源中心与Si衬底材料中心为10-20cm，再将石英管放入管式炉，并使小瓷舟对准管式炉正中央；然后以30-35℃/min升温至1100℃，升温过程中通入20sccmAr气保持31-37min，然后停止Ar通入15-45sccmNH₃保持15-30min，然后停止氨气换用氩气，并自然冷却到室温，在Si衬底材料表面所得的淡黄色物质即为氮化镓纳米线。该制备方法所得的氮化镓纳米线有更高的结晶质量，同时制备过程具有很好的可控性。

主权项

一种氮化镓纳米线的制备方法，其特征在于具体包括步骤如下：(1)、混合镓源的制备；         将纯度99.999%的GaN及纯度99.999%的Ga₂O₃ 按质量比Ga₂O₃：GaN为2:1的混合后研磨，得混合镓源；(2)、氮化镓纳米线的生长         将步骤（1）的混合镓源装入小瓷舟中，将镀有催化剂Ni层或催化剂Au层的Si衬底材料放到石英玻璃管中，然后将小瓷舟放到石英玻璃管中，并保证混合镓源中心与镀有催化剂Ni层或催化剂Au层的Si衬底材料中心为10‑20cm，再将石英玻璃管放入管式炉，并使小瓷舟对准管式炉正中央；然后控制升温速率为30‑35℃/min 升温至1100℃，升温过程中通入20sccm Ar气保持31‑37min，然后停止Ar，停止Ar后通入15‑45sccm NH₃保持15‑30min，然后停止氨气换用氩气，在氩气氛围中自然冷却到室温，在镀有催化剂Ni层或Au层的Si衬底材料的表面所得的淡黄色物质即为氮化镓纳米线。