[发明专利]掺杂方法在审
| 申请号： | 201410522243.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105529251A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 沈培俊;金光耀;王懿喆;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海晶玺电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 200092 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂方法，包括：通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂过程中在该第一导电类型掺杂层上形成第一氧化层；在第一导电类型衬底的背面上淀积形成第二导电类型掺杂源；图形化蚀刻该第二导电类型掺杂源以暴露出预定区域的第一导电类型衬底；通过离子注入的方式在该预定区域的表面中形成第一导电类型掺杂区域；在退火的同时使该第二导电类型掺杂源中的第二导电类型离子扩散至该第一导电类型衬底中形成第二导电类型掺杂区域。本发明利用了热扩散工艺中形成的氧化层作为掩膜，来实现后续离子注入的局部掺杂，由此，无需额外形成掩膜，整体工艺极为简单，连贯性很强。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1：通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂过程中在该第一导电类型掺杂层上形成第一氧化层；S2：在第一导电类型衬底的背面上淀积形成第二导电类型掺杂源；S3：图形化蚀刻该第二导电类型掺杂源以暴露出预定区域的第一导电类型衬底；S4：通过离子注入的方式在该预定区域的表面中形成第一导电类型掺杂区域；S5：在退火的同时使该第二导电类型掺杂源中的第二导电类型离子扩散至该第一导电类型衬底中形成第二导电类型掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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