[发明专利]掺杂方法在审
| 申请号： | 201410522243.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105529251A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 沈培俊;金光耀;王懿喆;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海晶玺电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 200092 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 | ||
1.一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S1：通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺 杂层，并且在扩散掺杂过程中在该第一导电类型掺杂层上形成第一氧化层；
S2：在第一导电类型衬底的背面上淀积形成第二导电类型掺杂源；
S3：图形化蚀刻该第二导电类型掺杂源以暴露出预定区域的第一导电类 型衬底；
S4：通过离子注入的方式在该预定区域的表面中形成第一导电类型掺杂 区域；
S5：在退火的同时使该第二导电类型掺杂源中的第二导电类型离子扩散 至该第一导电类型衬底中形成第二导电类型掺杂区域。
2.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S1之前包括步骤 S0：在该第一导电类型衬底的正面和背面形成绒面。
3.如权利要求1或2所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S1之后、步 骤S2之前还包括：蚀刻该第一导电类型衬底的背面的边缘并抛光该第一导 电类型衬底的背面。
4.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S3中通过激光或 者蚀刻浆料来蚀刻预定区域的第二导电类型掺杂源。
5.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，该第一氧化层为第一 导电类型掺杂硅玻璃，和/或，该第二导电类型掺杂源为第二导电类型掺杂硅 玻璃。
6.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S5之后包括：去 除该第一氧化层和该第二导电类型掺杂源。
7.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S1中的热扩散工 艺为背靠背扩散。
8.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S2中通过APCVD 淀积该第二导电类型掺杂源。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4 和步骤S5替换为：
步骤SP：通过热扩散工艺在该预定区域的表面中形成第一导电类型掺 杂区域，同时使该第二导电类型掺杂源中的第二导电类型离子扩散至该第一 导电类型衬底中形成第二导电类型掺杂区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶玺电子科技有限公司，未经上海晶玺电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410522243.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法
- 下一篇：一种断路器用脱扣装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
