[发明专利]形成半导体图案和半导体层的方法有效
| 申请号： | 201410521278.3 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104517810B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | W-E.王;M.S.罗德;R.C.伯温 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了形成半导体图案和半导体层的方法。所述方法可包括：在衬底上形成氧化物层；以及在氧化物层和衬底内形成凹部。所述方法可以进一步包括在凹部内形成外延生长的半导体图案，该半导体图案接触衬底的在氧化物层和衬底之间的界面处的侧壁，并且限定衬底内的凹部中的空隙的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体图案 氧化物层 凹部 半导体层 外延生长 界面处 上表面 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体图案的方法，所述方法包括：在衬底上形成氧化物层；在所述氧化物层和所述衬底中形成凹部；以及在所述凹部内形成外延生长的半导体图案，所述半导体图案接触所述衬底的在所述氧化物层和所述衬底之间的界面处的侧壁，并且限定所述衬底内的所述凹部中的空隙的上表面，其中形成所述外延生长的半导体图案包括：将所述衬底的在所述氧化物层和所述衬底之间的所述界面处的所述侧壁用作第一籽层，来外延生长限定所述衬底内的所述凹部中的所述空隙的所述上表面的下部半导体图案；以及将所述下部半导体图案用作第二籽层，来在所述凹部中外延生长上部半导体图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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