[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201410515192.X | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN104517898A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 前田勉;源田悟史 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683;B81C1/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种晶片的加工方法,能够抑制已经形成了改性层的晶片的意想不到的破裂的产生。晶片的加工方法至少具有:晶片单元形成步骤,经粘接带(T)将晶片(W)固定于环状框架(F)的开口而形成晶片单元(WU);晶片单元保持步骤,经粘接带(T)将晶片(W)吸引保持在卡盘工作台(11)的保持面(11a)上;加工步骤,照射激光光线,在晶片(W)内部形成改性层(K);搬出步骤;以及分割步骤。在搬出步骤中,实施如下紧贴解除步骤:从保持面(11a)喷出加压过的气体从而解除粘接带(T)与保持面(11a)的紧贴。然后,将晶片单元(WU)从卡盘工作台(11)搬出。在分割步骤中以改性层(K)为起点分割晶片(W)。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片在正面在通过多条分割预定线而划分出的各区域形成有器件,所述的晶片的加工方法的特征在于,具有:晶片单元形成步骤,在露出背面侧的状态下,经粘接带将晶片固定于环状框架的开口,形成晶片单元;晶片单元保持步骤,隔着所述粘接带,通过卡盘工作台的保持面吸引保持晶片单元的晶片;加工步骤,照射对保持在所述卡盘工作台上的晶片单元的晶片具有透射性的波长的激光光线,在晶片内部形成沿着所述分割预定线的改性层;紧贴解除步骤,从所述保持面喷出流体而解除所述粘接带与所述保持面的紧贴;搬出步骤,在实施了所述紧贴解除步骤之后,通过保持并搬送所述环状框架的搬送构件将晶片单元从所述卡盘工作台搬出;以及分割步骤,在实施了搬出步骤之后,对晶片单元的晶片施加外力,以所述改性层为起点分割晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造