[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201410515192.X | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN104517898A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 前田勉;源田悟史 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683;B81C1/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法。
背景技术
在半导体器件制造工艺中,在为大致圆板形状的半导体晶片的正面由排列为格子状的称为间隔道的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域中形成IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)、微小电气机械系统(MEMS)等器件。然后,沿着间隔道来切断半导体晶片,由此分割形成有器件的区域从而制造出一个个器件。
关于这样的器件,在近年通过使用了切削刀具的切削装置来进行分割加工。但是,由于切削刀具以20~40μm左右的宽度来形成分割槽并进行分割,因此分割预定线需要一定程度的宽度,从而限制了器件的可获得个数,并且,由于一边用切削水来除去切削屑一边进行加工,因此由于切削水的飞散而受损的MEMS器件和Low-k层的无剥离切断难以通过加工装置进行加工,处于这些等理由,使用了激光光线的激光加工装置的加工使用活跃。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2011-166002号公报
在切削装置和激光加工装置中,大多在将晶片固定于框架而得到的晶片单元的状态下进行加工。当在晶片单元的状态下经粘接带(切割带)将晶片吸引固定于卡盘工作台时,粘接带仿形于卡盘工作台保持面的细微凹凸地紧贴于卡盘工作台,有时从保持面将晶片以撕扯下来的方式搬出。该情况下,在已经形成了改性层的晶片中可能产生意想不到的破裂。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种晶片的加工方法,能够抑制已经形成了改性层的晶片的意想不到的破裂的产生。
为了解决上述的课题、达成目的,本发明的晶片的加工方法是在正面在通过多条分割预定线而划分出的各区域形成有器件的晶片的加工方法,所述的晶片的加工方法的特征在于,具有:晶片单元形成步骤,在露出背面侧的状态下,经粘接带将晶片固定于环状框架的开口,形成晶片单元;晶片单元保持步骤,隔着所述粘接带,通过卡盘工作台的保持面吸引保持晶片单元的晶片;加工步骤,照射对保持在所述卡盘工作台上的晶片单元的晶片具有透射性的波长的激光光线,在晶片内部形成沿着所述分割预定线的改性层;紧贴解除步骤,从所述保持面喷出流体而解除所述粘接带与所述保持面的紧贴;搬出步骤,在实施了所述紧贴解除步骤之后,通过保持并搬送所述环状框架的搬送构件将晶片单元从所述卡盘工作台搬出;以及分割步骤,在实施了搬出步骤之后,对晶片单元的晶片施加外力,以所述改性层为起点分割晶片。
优选的是,在晶片单元保持步骤中,将环状框架固定于比保持面低的位置,在使所述环状框架上升到比所述保持面高的位置之后实施紧贴解除步骤。
发明效果
根据本申请发明的晶片的加工方法,为了解除卡盘工作台的保持面与粘接带的紧贴,而从保持面喷出流体。因此,能够抑制因将晶片从保持面强制扯下而产生的破裂。因此,能够抑制已经形成了改性层的晶片的意想不到的破裂的产生。
附图说明
图1的(a)是表示实施本发明实施方式涉及的晶片的加工方法的晶片的立体图,图1的(b)是通过晶片单元形成步骤而形成的晶片单元的立体图。
图2的(a)是表示晶片单元保持步骤的概要的立体图,图2的(b)是通过晶片单元保持步骤而保持的晶片单元等的剖视图。
图3是表示加工步骤的概要的剖视图。
图4是表示搬出步骤的使搬送构件与晶片单元的环状框架对置的状态的剖视图。
图5的(a)是表示搬出步骤的使保持环状框架的搬送构件向上方移动后的状态的剖视图,图5的(b)是表示搬出步骤的从保持面喷出流体的状态的剖视图,图5的(c)是表示搬出步骤的将晶片单元从卡盘工作台搬出的状态的剖视图。
图6的(a)是表示分割步骤的概要的剖视图,图6的(b)是表示通过分割步骤而分割晶片的状态的剖视图。
标号说明
11 卡盘工作台
11a 保持面
20 搬送构件
D 器件
F 环状框架
K 改性层
L 激光光线
S 分割预定线
T 粘接带
W 晶片
WS 正面
WR 背面
WU 晶片单元
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造