[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201410515192.X 申请日: 2014-09-29
公开(公告)号: CN104517898A 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 前田勉;源田悟史 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/683;B81C1/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;蔡丽娜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,该晶片在正面在通过多条分割预定线而划分出的各区域形成有器件,

所述的晶片的加工方法的特征在于,具有:

晶片单元形成步骤,在露出背面侧的状态下,经粘接带将晶片固定于环状框架的开口,形成晶片单元;

晶片单元保持步骤,隔着所述粘接带,通过卡盘工作台的保持面吸引保持晶片单元的晶片;

加工步骤,照射对保持在所述卡盘工作台上的晶片单元的晶片具有透射性的波长的激光光线,在晶片内部形成沿着所述分割预定线的改性层;

紧贴解除步骤,从所述保持面喷出流体而解除所述粘接带与所述保持面的紧贴;

搬出步骤,在实施了所述紧贴解除步骤之后,通过保持并搬送所述环状框架的搬送构件将晶片单元从所述卡盘工作台搬出;以及

分割步骤,在实施了搬出步骤之后,对晶片单元的晶片施加外力,以所述改性层为起点分割晶片。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,

在所述晶片单元保持步骤中,将所述环状框架固定于比所述保持面低的位置,

在使所述环状框架上升到比所述保持面高的位置之后实施所述紧贴解除步骤。

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