[发明专利]全角度侧壁反射电极的LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201410510064.6 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104269471A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 徐慧文;张宇;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/60;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种全角度侧壁反射电极的LED芯片及其制作方法。全角度侧壁反射电极的LED芯片的P-GaN和量子阱层的侧壁设有斜坡，在斜坡上形成钝化层，接着在斜坡上形成N电极，N电极同时和N-GaN平面接触。由于N电极与钝化层的组合可以增强电极的反射率，因此LED芯片侧发光的吸收会大大减少，LED芯片的取光效率可以得到提升。此外，此设计的N电极焊盘可以直接形成于P-GaN和钝化层之上，因此可大大减小发光面积的损失，提高了LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 角度 侧壁 反射 电极 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种全角度侧壁反射电极的LED芯片，其特征在于，包括：衬底、外延层、钝化层、P电极和N电极，其中，所述外延层包括依次形成的N‑GaN、量子阱层和P‑GaN，所述N‑GaN形成在所述衬底上，所述P‑GaN和量子阱层的两侧壁设有斜坡，暴露出部分N‑GaN，所述钝化层形成在所述斜坡和P‑GaN的表面，并设有图案暴露出部分P‑GaN，所述N电极形成在所述斜坡处的钝化层及P‑GaN表面的钝化层上，并与所述N‑GaN相连，所述P电极形成在所述钝化层的表面，并与暴露出的P‑GaN相连。
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