[发明专利]LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路有效
申请号: | 201410509492.7 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN104195529A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 杨力勇;沈震 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐洁晶 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路,该电路输入端接到真空检测仪,输出端对应到炉管的工艺终止部件;该电路采用双电源输入;该电路包括:第一电阻,一端接收真空检测信号;第二电阻和电位器,串联后接于正电源端和地端间,从中提供炉管预真空的设定数值对应的比较器的动作电压;比较器,正输入端接于第二电阻和电位器间,负输入端与第一电阻另一端连接;比较器还分别与正、负电源端连接;第三电阻,一端与比较器输出端连接;三极管,基极与第三电阻另一端连接,发射极接地;继电器,一端与三极管集电极连接,另一端与正电源端连接;第四电阻,一端与三极管集电极连接;状态显示元件,一端与第四电阻另一端连接,另一端与正电源端连接。 | ||
搜索关键词: | lpcvd 炉管 及其 联锁 装置 电路 | ||
【主权项】:
一种LPCVD炉管的主阀联锁装置电路(100),其输入端连接到一真空检测仪,其输出端对应到所述LPCVD炉管的工艺终止部件;所述主阀联锁装置电路(100)采用双电源输入,即连接到一正电源端(C)和一负电源端(D);所述主阀联锁装置电路(100)包括:第一电阻(121),其一端连接所述真空检测仪,接收一真空检测信号;第二电阻(122)和电位器(143),两者串联后连接于所述正电源端(C)和地端之间,用于从中提供所述LPCVD炉管的预真空的一设定数值所对应的下述比较器(101)的动作电压;比较器(101),其正输入端连接于所述第二电阻(122)和所述电位器(143)之间,其负输入端与所述第一电阻(121)的另一端连接;所述比较器(101)还分别与所述正电源端(C)和所述负电源端(D)连接;第三电阻(123),其一端与所述比较器(101)的输出端连接;三极管(103),其基极与所述第三电阻(123)的另一端连接,其发射极接地;继电器(105),其一端与所述三极管(103)的集电极连接,其另一端与所述正电源端(C)连接;第四电阻(124),其一端与所述三极管(103)的集电极连接;以及状态显示元件(107),其一端与所述第四电阻(124)的另一端连接,其另一端与所述正电源端(C)连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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