[发明专利]具有横向FET单元和场板的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其包括在半导体鳍之间提供从第一表面延伸至半导体衬底之中的介电条状结构。提供覆盖第一区域的第一掩模，该第一区域包括介电条状结构的第一条状部分和半导体鳍的第一鳍部分。该第一掩模暴露包括第二条状部分和第二鳍部分的第二区域。通过引入杂质在第二鳍部分中形成沟道区/体区，其中第一掩模被用作注入掩模。使用基于第一掩模的蚀刻掩模，至少在第二条状部分中形成凹槽。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供在半导体鳍之间从第一表面延伸至半导体衬底之中的介电条状结构；提供覆盖具有包括所述介电条状结构的第一条状部分和所述半导体鳍的第一鳍部分的第一区域并且暴露具有包括所述介电条状结构的第二条状部分和所述半导体鳍的第二鳍部分的第二区域的第一掩模；使用所述第一掩模作为注入掩模，通过引入杂质在所述第二鳍部分中形成沟道区/体区；以及使用基于所述第一掩模的蚀刻掩模在所述第二条状部分中形成凹槽。