[发明专利]具有横向FET单元和场板的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供在半导体鳍之间从第一表面延伸至半导体衬底之中的介电条状结构；

提供覆盖具有包括所述介电条状结构的第一条状部分和所述半导体鳍的第一鳍部分的第一区域并且暴露具有包括所述介电条状结构的第二条状部分和所述半导体鳍的第二鳍部分的第二区域的第一掩模；

使用所述第一掩模作为注入掩模，通过引入杂质在所述第二鳍部分中形成沟道区/体区；以及

使用基于所述第一掩模的蚀刻掩模在所述第二条状部分中形成凹槽。

2.如权利要求1所述的方法，其中

所述第一掩模被用作所述蚀刻掩模用于形成所述凹槽。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在引入所述杂质之后并在形成所述凹槽之前，修整所述第一掩模；以及

使用所述修整过的第一掩模作为用于形成所述凹槽的所述蚀刻掩模。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第二条状部分中形成所述凹槽之后，沿所述第二鳍部分的侧壁和上表面形成栅极介电体，所述上表面平行于所述第一表面。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

向所述半导体衬底的由所述凹槽的端面暴露的部分中注入杂质，其中

所述栅极介电体通过热生长形成，并且在所述凹槽的端面处通过所述热生长同时地形成的单元绝缘体被形成厚于所述栅介电体。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过用导电材料填充所述凹槽形成埋置栅电极。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过使用被包括在定义所述介电条状结构的沟槽掩模中的位置信息引入接触沟槽，所述接触沟槽在与所述介电条状结构的平行于所述第一表面的纵轴正交的第二横向方向上延伸。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

使用单光刻蚀沟槽掩模，形成从所述第一表面延伸至所述半导体衬底中的单元沟槽、场板沟槽和接触沟槽；

在所述单元沟槽中形成所述介电条状结构并且由所述介电条状结构形成单元条；以及

在所述场板沟槽中形成场板条并且在所述接触沟槽中形成接触条。

9.如权利要求7所述的方法，进一步包括：

通过使用包括在所述第一掩模中的位置信息引入接触沟槽，所述接触沟槽在与所述介电条状结构的平行于所述第一表面的纵轴正交的第二横向方向上延伸。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在提供所述第一掩模之前，提供在所述第一区域中从所述第一表面延伸至所述半导体衬底中的场板条结构，其中所述场板条结构的纵轴平行于所述介电条状结构的纵轴，所述介电条状结构的纵轴平行于所述第一表面。

11.如权利要求10所述的方法，

其中所述场板条结构的正交于所述纵轴的第二宽度w2大于所述介电条状结构的正交于所述纵轴的第一宽度w1。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：

形成具有大于所述第一宽度w1的一半并且小于所述第二宽度w2的一半的厚度的适形介电层。

13.如权利要求1所述的方法，

其中所述第一掩模覆盖了具有包括第三条状部分和第三鳍部分的第三区域，所述第三区域通过所述第二区域与所述第一区域间隔开；以及

在形成所述凹槽之后，在所述第三区域中所述介电条状结构的剩余部形成厚于所述鳍部分中形成的栅极介电体的第三单元绝缘体结构。

14.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过穿过接触沟槽的侧壁引入杂质，在平行于所述第一表面的、由所述介电条状结构的纵轴定义的第一横向方向上提供直接邻接所述沟道区/体区的源区，所述接触沟槽的侧壁通过使用包括在所述第一掩模或用于形成所述介电条状结构的沟槽掩模中的位置信息形成。