[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410489484.0 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097931A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 潘钦寒;黄尧峰 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件的制造方法包括，首先，提供基底，基底包括第一区、第二区与第三区，其中第二区位于第一区与第三区之间；接着，在基底上形成隔离结构，隔离结构至少位于第一区与第二区上；之后，进行移除步骤，以移除第一区上的隔离结构，形成一第一开口，裸露出基底的顶面；继而，于基底上形成栅极结构，覆盖部分第一区的基底以及第二区的部分隔离结构；接着，于栅极结构的一侧的第一区的基底中形成具有第一导电型的第一掺杂区，以及于第三区的基底中形成具有第一导电型的第二掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括:提供一基底，该基底包括一第一区、一第二区与一第三区，其中该第二区位于该第一区与该第三区之间；在该基底上形成一隔离结构，该隔离结构至少位于该第一区与该第二区上；进行一移除步骤，以移除该第一区上的该隔离结构，形成一第一开口，裸露出该基底的顶面；于该基底上形成一栅极结构，该栅极结构覆盖部分该第一区的该基底以及该第二区的部分该隔离结构；于该栅极结构的一侧的该第一区的该基底中形成具有一第一导电型的一第一掺杂区；以及于该第三区的该基底中形成具有该第一导电型的一第二掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司，未经新唐科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410489484.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
