[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置(10)，其包括半导体基板(11)，所述半导体基板具有元件区域(12)以及终端区域(14)。元件区域包括第一体区域(36a，38)，其具有第一导电类型；第一漂移区(32)，其具有第二导电类型；以及第一浮动区域(34)，其具有第一导电类型。终端区域包括场限环区域(41)、第二漂移区(32b)以及第二浮动区域(37)。场限环区域具有第一导电类型并围绕元件区域。第二漂移区具有所述第二导电类型，并与场限环区域相接触且围绕场限环区域。所述第二浮动区域具有第一导电类型并被第二漂移区围绕。所述第二浮动区域围绕元件区域。至少一个所述第二浮动区域相对于最接近所述元件区域的一个场限环区域而被置于元件区域侧。

主权项

一种半导体装置(10)，其特征在于包括半导体基板(11)，其具有元件区域(12)以及围绕所述元件区域的终端区域(14)，其中：所述元件区域包括第一体区域(36a，38)，其具有第一导电类型，并且被置于面向所述半导体基板的顶面的范围内，第一漂移区(32)，其具有第二导电类型，并且与所述第一体区域的底面相接触，以及多个第一浮动区域(34)，各所述第一浮动区域具有所述第一导电类型，并且被所述第一漂移区围绕；所述终端区域包括多个场限环区域(41)，各所述场限环区域具有所述第一导电类型，并被置于面向所述半导体基板的所述顶面的范围内且围绕所述元件区域的外周，第二漂移区(32b)，其具有所述第二导电类型，并与所述场限环区域相接触且围绕所述场限环区域，以及多个第二浮动区域(37)，各所述第二浮动区域具有所述第一导电类型并被所述第二漂移区围绕；所述第二浮动区域围绕所述元件区域的所述外周；并且至少一个所述第二浮动区域相对于所述场限环区域中的最接近所述元件区域的一个场限环区域的内周侧表面而被置于元件区域侧；并且所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，并且其中：所述终端区域进一步包括第二体区域(36b，39)；所述第二体区域具有所述第一导电类型，并被置于面向所述半导体基板的所述顶面的范围内，所述第二体区域部分地被布置在元件区域侧，并且从所述第一体区域连续地形成；所述场限环区域被排布为远离所述第二体区域；所述第二漂移区与所述第二体区域的底面和侧面相接触；所述第二漂移区被配置为将所述第二体区域与所述场限环区域分离；当以平面方式观察所述半导体基板时，所述第二浮动区域包括多个下方第二浮动区域，所述下方第二浮动区域包括与所述第二体区域的重叠部分；在所述半导体基板的厚度方向上的预定深度处，从元件区域侧向终端区域侧以预定间隔安置所述第一浮动区域；所述下方第二浮动区域被置于所述预定深度处；所述下方第二浮动区域中的最外侧的下方第二浮动区域和与所述最外侧的下方第二浮动区域最接近的一个第二浮动区域之间的间隔b0为所述预定间隔的一半或以下；并且所述最接近的一个第二浮动区域在所述半导体装置的表面方向上被排布在所述最外侧的下方第二浮动区域的外侧。