[发明专利]双等离子体源反应器处理晶片中离子与中性物质比控制

摘要

本文中公开的技术涉及双等离子体源反应器处理晶片中离子与中性物质比控制，具体涉及用于蚀刻衬底的方法和装置。板组件将反应室划分成下子室和上子室。板组件包括具有贯穿的孔的上板和下板。当使上板中的孔与下板中的孔对准时，离子和中性物质可经过板组件进入下子室。当这些所述孔不对准时，防止离子通过组件同时中性物质受到小得多的影响。因此，可通过控制孔对准面积的大小来调整离子通量:中性物质通量的比率。在某些实施方式中，板组件的一个板具体化成一系列同轴的、可独立运动的注入控制环。此外，在一些实施方式中，上子室具体化为被绝缘材料的壁隔离的一系列同轴的等离子体区。

主权项

1.一种用于蚀刻衬底的装置，其包括：(a)反应室，(b)位于所述反应室中由此将所述反应室划分成上子室和下子室的板组件，其中所述板组件包括：(i)第一板，和(ii)第二板，其包括能独立地相对于所述第一板旋转的至少两个同轴的板部，其中所述第一板和第二板具有延伸穿过各板的厚度的孔，(c)连通到所述上子室的一个或多个气体入口，(d)被设计或构造成从所述反应室中排出气体的、连通到所述反应室的一个或多个气体出口，和(e)被设计或构造成在所述上子室中产生等离子体的等离子体发生源，还包括控制器，所述控制器被设计或构造成使至少第一同轴板部相对于所述第一板运动以便确定所述第一板和第二板的孔的方位从而控制离子与自由基的通量比。