[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。抑制接触插塞之间的接触面积的变化，以抑制接触电阻的波动。在三个第三层间绝缘膜中，自对准地形成接触孔，以延伸穿过其介于两个布线部之间的部分和其介于两个栅极布线之间的部分，并到达第一多晶硅插塞。在接触孔中，形成第二多晶硅插塞，使其与第一多晶硅插塞接触。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一布线部和第二布线部，所述第一布线部和所述第二布线部形成在所述半导体衬底上，以在第一方向上延伸，同时在所述第一布线部和所述第二布线部之间保持第一间隔；第三布线部和第四布线部，所述第三布线部和所述第四布线部形成在所述第一布线部和所述第二布线部上方，以在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，同时在所述第三布线部和所述第四布线部之间保持第二间隔；和接触插塞，所述接触插塞形成为从所述第三布线部和所述第四布线部上方延伸穿过所述第三布线部和所述第四布线部之间以及所述第一布线部和所述第二布线部之间，并到达所述半导体衬底，其中，所述接触插塞从所述接触插塞的位于所述第三布线部和所述第四布线部之间的部分朝着在所述第三布线部和所述第四布线部中的至少一个的正上方的位置向外延伸，以悬在上面，并且从所述接触插塞的位于所述第一布线部和所述第二布线部之间的部分朝着在所述第一布线部和所述第二布线部中的至少一个的正上方的位置向外延伸，以悬在上面，其中，所述接触插塞包括与所述半导体衬底接触的下接触插塞和与所述下接触插塞接触的上接触插塞，并且其中，所述下接触插塞形成为高度比所述第一布线部和所述第二布线部低。