[发明专利]具有屏蔽、深穿透及颜色检测光二极管的颜色光传感器阵列的传感器和方法有效
申请号: | 201410471114.4 | 申请日: | 2014-09-16 |
公开(公告)号: | CN104465685B | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 彭进宝 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/04 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 光传感器具有光罩层及第一相邻的光二极管,该光罩层具有在中央的光二极管上面的开口,该第一相邻的光二极管覆盖有光罩层,且位于足够靠近中央的光二极管,使得至少一些通过光二极管上面的开口的光,能够经由光二极管而到达第一相邻的光二极管。光传感器还具有第二相邻的光二极管;该第二相邻的光二极管覆盖有光罩层,且位于足够靠近第一相邻的光二极管,使得至少一些通过光二极管上面的开口的光,能够经由第一相邻的光二极管而到达第二相邻的光二极管。电路系统被设置用来读取光二极管并处理读自光二极管的信号以产生蓝色、绿色以及红色的通道信号。 | ||
搜索关键词: | 具有 屏蔽 穿透 颜色 检测 二极管 传感器 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种光传感器,其包括:具有开口的光罩层,其位在中央的光二极管的上面;第一相邻的光二极管,该第一相邻的光二极管覆盖有该光罩层,且位于靠近该中央的光二极管,使得至少一些被允许通过该中央的光二极管上的开口的光能够经由该中央的光二极管到达该第一相邻的光二极管;第二相邻的光二极管,该第二相邻的光二极管覆盖有该光罩层,且位于靠近该第一相邻的光二极管,使得至少一些被允许通过该中央的光二极管上的开口的光能够经由该中央的光二极管和该第一相邻的光二极管而到达该第二相邻的光二极管;以及辅助电路,其用来重设及读取该光二极管上的电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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