[发明专利]前置放大器有效
| 申请号： | 201410464814.0 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104518744B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 唐成伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种前置放大器，输出级放大电路至少包括第一单边放大路径，第一单边放大路径包括共源连接的第一MOS晶体管和采用第一电阻为负载；偏置电路通过镜像方式为第一单边放大路径提供静态偏置并在第一单边放大路径中形成第一静态偏置电流；偏置电路包括第一镜像路径和第二镜像路径；第一镜像路径由串联在电源电压和地之间的第二电阻以及连接成二极管结构的第二MOS晶体管组成。将第一静态偏置电流和第一镜像路径的第一电流的比值设置为等于第二电阻和第一电阻的比值，使得第一单边放大路径的输出端的静态电压等于第二MOS晶体管的栅源电压。本发明能使前置放大器的输出直流电平稳定，不随电源电压和温度的变化而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 前置放大器 | ||
【主权项】：
一种前置放大器，其特征在于：前置放大器包括偏置电路和输出级放大电路；所述输出级放大电路至少包括第一单边放大路径，所述第一单边放大路径包括共源连接的第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的漏极连接作为所述第一单边放大路径的负载的第一电阻，所述第一MOS晶体管的漏极作为所述第一单边放大路径的输出端并作为所述输出级放大电路的第一输出端；所述偏置电路通过镜像方式为所述第一单边放大路径提供静态偏置，所述偏置电路包括第一镜像路径和第二镜像路径；所述第一镜像路径由串联在电源电压和地之间的第二电阻以及连接成二极管结构的第二MOS晶体管组成，所述第二MOS晶体管的漏极和栅极连接在一起组成二极管结构并连接所述第二电阻；所述第二镜像路径包括共源连接的第三MOS晶体管，所述第三MOS晶体管的栅极连接所述第二MOS晶体管的栅极和漏极；所述第二镜像路径的第二电流为所述第一镜像路径的第一电流的镜像电流，所述第二镜像路径通过镜像方式为所述第一单边放大路径提供静态偏置并在所述第一单边放大路径中形成第一静态偏置电流；将所述第一静态偏置电流和所述第一电流的比值设置为等于所述第二电阻和所述第一电阻的比值，使得所述第一单边放大路径的输出端的静态电压等于所述第二MOS晶体管的栅源电压；所述输出级放大电路还包括第二单边放大路径，所述第二单边放大路径和所述第一单边放大路径呈对称设置并连接形成差分结构；所述第二单边放大路径包括共源连接的第四MOS晶体管，所述第四MOS晶体管的漏极连接作为所述第二单边放大路径的负载的第三电阻，所述第四MOS晶体管的漏极作为所述第二单边放大路径的输出端并作为所述输出级放大电路的第二输出端；所述第二镜像路径通过镜像方式为所述第二单边放大路径提供静态偏置并在所述第二单边放大路径中形成第二静态偏置电流；将所述第二静态偏置电流和所述第一电流的比值设置为等于所述第二电阻和所述第三电阻的比值，使得所述第二单边放大路径的输出端的静态电压等于所述第二MOS晶体管的栅源电压。
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- 本发明公开了一种自动跨导控制放大电路，包括输入端uin、控制端Uc、输出端iout、电压控制放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和二极管D1，电压控制放大器U1的型号为VCA610。该自动跨导控制放大电路具有自动控制跨导值的功能，输入为交流电压信号，输出为交流电流信号，电流信号的峰值受到直流控制电压的控制；当直流控制电压稳定时，输出的电流值稳定，且不随输入交流电压信号幅度的变化而变化，可用于交流恒流源等电路的设计。
- 放大器系统中的电流限制-201580021293.4
- D·大谷;K·凯 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2015-05-01 - 2019-07-02 - H03F3/45
- 在所描述的示例中，放大器系统(10)包括被配置为响应于输入电压(VIN)传导增益电流的增益级(14)。系统(10)还包括耦合到增益级(14)并且被配置为作为拉电流流出和/或作为灌电流流入增益电流并且在电流限制条件期间限定增益电流的极限幅值的限流级(22)。系统(10)进一步包括耦合到增益级(14)并被配置为响应于增益电流通过输出节点(20)传导输出电流的输出级(18)，输出电流在电流限制条件期间具有与极限幅值成比例的最大幅值。
- 放大电路、分频电路及包括其的半导体装置和半导体系统-201811022815.4
- 郑海康;赵善起;崔容硕 - 爱思开海力士有限公司
- 2018-09-03 - 2019-06-28 - H03F3/45
- 本发明提供一种放大电路和分频电路以及包括所述放大电路和/或分频电路的半导体装置和半导体系统。所述放大电路可以包括：放大级，其被配置为在第一操作时段放大第一信号和第二信号，并且产生第三信号和第四信号。所述放大电路可以包括：锁存级，其被配置为在第二操作时段锁存第三信号和第四信号。所述放大电路可以在第一操作时段期间向放大级供应低电压，在第二操作时段期间向锁存级供应低电压，在第一操作时段期间向放大级供应高电压，以及在第二操作期间向锁存级供应高电压。
- 运算放大器的转换促进禁用-201811521857.2
- M·F·斯诺埃尔;S·G·布兰特利 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2018-12-13 - 2019-06-28 - H03F3/45
- 本申请公开用于运算放大器的转换促进禁用。一种运算放大器(100)，其包括：输入级(110)，其被配置为接收第一输入电压和第二输入电压；以及转换促进电路(130)，其耦合到输入级并且被配置为选择性地增大通过输入级的电流。运算放大器(100)还包括：输出级(120)，其耦合到输入级并且被配置为生成输出电压；以及转换促进禁用电路(150)，其被配置为向转换促进电路(130)断言控制信号，以禁用转换促进电路(130)。当以下两种情况皆发生时，转换促进电路(130)被禁用：第一输入电压不同于第二输入电压的量超过第一阈值电压，且输出电压的改变不超过第二阈值速率。
- 低噪声跨导放大器-201611088894.X
- S·瑟尔瓦纳亚佳姆;S·A·奥玛霍尼;M·J·荻尼;N·K·可尔尼 - 亚德诺半导体集团
- 2016-12-01 - 2019-06-28 - H03F3/45
- 本文涉及低噪声跨导放大器，提供了用于跨导放大器(诸如，分离共源共栅低噪声跨导放大器(LNTAs)的装置和方法。在实施例中，LNTA包括分离电流路径，每个分离电流路径通过不同的交流(AC)耦合电容器耦合到不同的混频器。在不同操作模式期间，例如当LNTA的输入在不同频带内时，可以启用LNTA的分离电流路径。
- 专利分类
