[发明专利]一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法

摘要

一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，属于半导体工艺技术领域。本发明采用低温氧气等离子体氧化的干法氧化工艺结合湿法腐蚀氧化层的工艺对III-V族化合物半导体材料进行刻蚀，可以精确控制刻蚀深度(刻蚀精度可达量级)。本发明刻具有低表面损伤，表面形貌良好，刻蚀栅槽可以提高线条精度，减小加工线宽。晶圆表面在低温下进行氧气等离子体处理，可有效避免高温氧化可能带来的异质结弛豫而引起的电流降低。本发明可以广泛应用于III-V族化合物半导体浅槽或细线条刻蚀，如氮化镓基器件欧姆接触凹槽或增强型器件凹槽栅的刻蚀。

主权项

一种III‑V族化合物半导体材料的刻蚀方法，包括以下步骤：步骤1：在需要刻蚀的III‑V族化合物半导体材料表面淀积掩膜层；步骤2：在步骤1所得掩膜层上涂敷光刻胶，并光刻出待刻蚀区图形；步骤3：刻蚀掉步骤2所得待刻蚀区的掩膜层，露出III‑V族化合物半导体材料需要刻蚀的区域，并去除其余光刻胶；步骤4：对步骤3所得III‑V族化合物半导体材料需要刻蚀的区域进行低温氧气等离子体氧化处理，使得III‑V族化合物半导体材料需要刻蚀的区域表面生成一层氧化层；步骤5：采用酸性腐蚀液腐蚀掉步骤4所得氧化层；步骤6：重复执行步骤4和步骤5，直至III‑V族化合物半导体材料需要刻蚀的区域达到预定刻蚀深度；步骤7：腐蚀掩膜层。