[发明专利]一种Si/NiO:Al异质pn结二极管在审
| 申请号： | 201410462308.8 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105470314A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李彤;邓学松;王达夫 | 申请（专利权）人： | 天津职业技术师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si/NiO:Al异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Al薄膜最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si nio al 异质 pn 二极管 | ||
【主权项】：
一种Si/NiO:Al异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由n型Si衬底上生长NiO:Al薄膜而得到的异质pn结。
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