[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201410453807.0 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104916316B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 镰田英行;南稔郁;东辻哲平;佐藤敦祥;米浜敬祐;马场康幸;篠原广 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以抑制面积增加的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括第1、第2存储单元晶体管MT、第1、第2字线WL、第1、第2晶体管(50)、及第1、第2驱动电路(60)。第1存储单元晶体管MT设置在半导体基板上方且包括电荷累积层。第2存储单元晶体管MT设置在第1存储单元晶体管MT的上方且包括电荷累积层。第1、第2字线WL分别与第1、第2存储单元晶体管MT连接。第1、第2驱动电路(60)分别施加各自的电压到第1、第2字线WL。第1、第2晶体管(50)分别将第1、第2字线WL与第1、第2驱动电路(60)之间连接。第1晶体管(50)与第2晶体管(50)的尺寸不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：第1存储单元晶体管，其设置在半导体基板上方，且包含电荷累积层；第2存储单元晶体管，其设置在所述第1存储单元晶体管的上方，且包含电荷累积层；第1、第2字线，其分别连接于所述第1、第2存储单元晶体管；第1、第2驱动电路，其施加各自的电压到所述第1、第2字线；以及第1、第2晶体管，其将所述第1、第2字线分别与所述第1、第2驱动电路之间连接；并且所述第1晶体管与所述第2晶体管的尺寸不同。
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