[发明专利]半导体器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410448994.3 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104752228B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;陈臆仁;张永融 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了形成半导体器件结构的方法的实施例。该方法包括在半导体衬底上方形成栅极堆叠件以及在栅极堆叠件的侧壁上方形成密封结构。该方法还包括在半导体衬底、密封结构和栅极堆叠件上方形成伪遮蔽层。该方法还包括在伪遮蔽层上实施离子注入工艺以在半导体衬底中形成源极区和漏极区。此外，该方法包括在形成源极区和漏极区之后去除伪遮蔽层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠件；在所述栅极堆叠件的侧壁上方形成密封结构；在所述半导体衬底、所述密封结构和所述栅极堆叠件上方形成伪遮蔽层，并且所述伪遮蔽层作为临时主间隔件；在所述伪遮蔽层上实施离子注入工艺以在所述半导体衬底中形成源极区和漏极区，所述源极区和漏极区与所述密封结构横向间隔开一距离，并且所述距离到达所述伪遮蔽层覆盖的区域；在形成所述源极区和所述漏极区之后去除所述伪遮蔽层以在所述密封结构上没有保留所述伪遮蔽层；以及在所述半导体衬底、所述密封结构和所述栅极堆叠件上方形成与所述密封结构和所述栅极堆叠件直接接触的蚀刻停止层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410448994.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件、制备方法及封装方法
- 下一篇：半导体器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
