[发明专利]可编程存储器

摘要

本发明提供一种可编程存储器。可编程存储器具有选择晶体管，其包括栅、源和漏极。反熔丝器件被连接至选择晶体管的漏极区域。反熔丝器件包括漏极区域上部衬底上的电介质层，电介质层上的多晶硅层，以及与漏极区域相接触的反熔丝电极线。当选择晶体管被接通且通过反熔丝线施加高电压时，电介质层被击穿且反熔丝器件被编程。

主权项

一种可编程存储器，包括：选择晶体管，其包括栅极区域、源极区域和漏极区域；以及反熔丝器件，其连接至所述选择晶体管的所述漏极区域，其中，所述反熔丝器件包括在所述漏极区域上表面上的电介质层，在所述电介质层上的多晶硅层，以及与所述漏极区域接触的第一电极；所述源极区域被配置为具有第一导电型的第一扩散区；并且所述漏极区域被配置为具有第二导电型的第二扩散区。