[发明专利]可编程存储器

说明书

技术领域

本公开涉及一种一次可编程存储器，且更确切地，涉及一种配置成使能够容易将反熔丝器件电介质击穿的存储装置。

背景技术

到现在为止，反熔丝器件已被用于制造互补金属氧化物半导体(CMOS)一次可编程(OTP)非易失性存储器。反熔丝器件通常起到与熔丝相反的作用。在正常状态下，反熔丝是开放电路。当高电压被施加于反熔丝时，其中电介质材料被击穿，反熔丝将电路闭合。使用反熔丝的上述两种状态可以实现一次可编程只读存储器(ROM)。

图1是相关技术存储器单元的电路图。

图1中的存储单元是一次可编程(OTP)只读存储器(ROM)装置，其在存储器晶体管12的栅极的氧化物被击穿时存储数据。配置成选择相应单元和存储器晶体管12的选择晶体管10被连接至有源区域。

在编程时通过向位线施加高电压并接通选择晶体管10以允许一个结(junction)偏置接地，高电位被施加至存储器晶体管12中的电介质层，相应地，存储器晶体管12中的电介质层被击穿。

然而，由于此相关技术通过高电压接通选择晶体管10以将其连接至接地，该编程较复杂。此外，由于反熔丝是通过击穿存储器晶体管12的结重叠区域中的电介质层来接通，大量的电流可能泄露至衬底。

发明内容

本发明的实施例提供一种存储器装置，其中通过接触区域施加高电压，可产生稳定的电介质击穿和/或反熔丝。

根据本发明的某些实施例，可编程存储器包括：选择晶体管，其包括栅、源和漏极区域，以及连接至选择晶体管的漏极区域的反熔丝器件，其中反熔丝器件包括漏极区域上表面上的电介质层、电介质层上的多晶硅层以及联接至漏极区域和/或与漏极区域相接触的第一电极。

当选择晶体管被接通且反熔丝器件被编程时，通过向第一电极和/或反熔丝线施加高电压，电介质被击穿。

一个或多个实施例的详情由附图和下述说明呈现。其他特征将从说明、附图以及权利要求中显而易见。

附图说明

图1是相关技术存储器单元的电路图。

图2是显示根据本公开的一个或多个实施例的示例可编程存储器的截面结构的视图。

图3是根据本公开实施例的示例存储器的单元电路图。

图4是显示根据本公开的一个或多个实施例的示例可编程存储器的平面结构的视图。

图5是显示根据本公开实施例的示例可编程存储器的阵列配置的视图。

具体实施方式

现在将详细地参考本发明的一些实施例，其范例在附图中示出。

根据一个或多个实施例的可编程装置将参照附图予以详细说明。然而，本发明可以体现为许多不同的形式且不应被解释为限于此处所列明的实施例，相反，可以通过增加、替换和修改而容易得出落入本公开实质和范围内的替代性实施例，且能完全向本领域的技术人员传递本发明的概念。

图2是显示根据本公开的一个或多个实施例的示例可编程阵列的截面结构的视图，且图3根据本公开实施例的示例存储器的单元电路图，图4是显示根据本公开的一个或多个实施例的示例可编程存储器的平面结构的视图，且图5是显示根据本公开的一个或多个实施例的示例可编程阵列的阵列配置图。

以下说明中，术语“MOS”用于指场效应晶体管(FET)、金属绝缘半导体(MIS)晶体管、半晶体管、电容器以及可编程存储器的单元的所有结构。根据本公开的实施例，可编程存储器的单元可包括一个晶体管和一个电容器，且晶体管和电容器被分别称为选择晶体管和反熔丝器件。

根据本公开的实施例的示范存储器结构参照图2和图3进行说明。在图2中示出了NMOS型存储器装置，但根据一个或多个实施例，PMOS型的存储器装置也可用于在衬底上(其中注入N型杂质)形成选择晶体管和反熔丝器件。

参考图2和3，在NMOS型存储器装置的情况下，衬底100(其中被注入p型杂质)包括源极区域101(其中被注入n型杂质)和漏极区域102(其中被注入n型杂质)，源极区域101被配置成第一扩散区，漏极区域102被配置成第二扩散区。此外，尽管未在附图中示出，源极区域101和漏极区域102还可包括轻掺杂漏区(LDD)结构。