[发明专利]一种晶闸管芯片的结终端结构有效
| 申请号： | 201410446710.7 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104934464B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王民安;黄富强;项建辉;叶民强;汪杏娟;王日新 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 杨大庆;叶绿林 |
| 地址： | 245000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶闸管芯片的结终端结构，解决现有晶闸管单面挖槽中芯片正向耐压值低，漏电流大的问题。晶闸管单面挖槽中的电压槽的两内壁对称设置有台阶结构。该电压槽设置有两级台阶结构或三级台阶结构且其高度过P2N结伸入N区20～70um。本发明适用于所有台面结构的半导体芯片生产领域。 | ||
| 搜索关键词： | 结终端结构 晶闸管芯片 晶闸管 挖槽 三级台阶结构 半导体芯片 对称设置 两级台阶 台阶结构 台面结构 槽设置 漏电流 中芯片 耐压 内壁 伸入 正向 | ||
【主权项】：
1.一种晶闸管芯片的结终端结构，包括长基区N，短基区P1、P2，隔离墙，扩磷区N+，浓硼扩散区P+，电压槽，所述的电压槽成环形结构；其特征在于：所述的电压槽是耐高压、表面电场弱的电压槽结构；所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构；所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构。
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