[发明专利]对不合格硅片的处理方法在审

专利信息
申请号: 201410442477.5 申请日: 2014-09-02
公开(公告)号: CN104157739A 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 许明金;符昌京;邓清龙;陈耀军 申请(专利权)人: 海南英利新能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 570000 海南*** 国省代码: 海南;66
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摘要: 发明公开了一种对不合格硅片处理的方法,包括:获取不合格硅片;采用预设浓度的氢氟酸溶液浸泡不合格硅片;采用表面腐蚀液,在第一预设时间和第一预设温度的条件下,腐蚀不合格硅片;采用预设体积比例的氢氧化钾溶液清洗不合格硅片;采用预设体积比例的氯化氢和氢氟酸溶液,在第二预设时间和第二预设温度的条件下,清洗不合格硅片;对不合格硅片进行扩散工艺,使不合格硅片的方阻在预设方阻范围内;对不合格硅片进行镀反射膜工艺,使不合格硅片的反射膜厚度在预设厚度范围内。采用本发明提供的技术方案,对在丝网印刷工艺前产生的不合格硅片进行处理后,可以再次使用制作太阳能电池片,避免了资源的浪费,提高了产品的生产合格率。
搜索关键词: 不合格 硅片 处理 方法
【主权项】:
一种对不合格硅片的处理方法,用于处理在丝网印刷工艺前产生的不合格硅片,其特征在于,包括:获取不合格硅片;采用预设浓度的氢氟酸溶液浸泡所述不合格硅片;采用表面腐蚀液,在第一预设时间和第一预设温度的条件下,腐蚀所述不合格硅片;采用预设体积比例的氢氧化钾溶液清洗所述不合格硅片;采用预设体积比例的氯化氢和氢氟酸溶液,在第二预设时间和第二预设温度的条件下,清洗所述不合格硅片;对所述不合格硅片进行扩散工艺,使所述不合格硅片的方阻在预设方阻范围内;对所述不合格硅片进行镀减反射膜工艺,使所述不合格硅片的减反射膜厚度在预设厚度范围内。
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